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| 数据手册 | APT85GR120B2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 962 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 170 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
库存：55,748
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥100.1976
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥100.1976 | ￥100.1976 |
| 10+ | ￥91.0839 | ￥910.8390 |
| 25+ | ￥84.2090 | ￥2,105.2250 |
| 50+ | ￥79.6874 | ￥3,984.3700 |
| 100+ | ￥76.8316 | ￥7,683.1600 |
| 250+ | ￥70.2035 | ￥17,550.8750 |
| 500+ | ￥65.6819 | ￥32,840.9500 |
| 1,000+ | ￥58.6131 | ￥58,613.1000 |
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