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| 数据手册 | APT100GN120JDQ4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 446 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 153 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：57,841
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥287.1337
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥287.1337 | ￥287.1337 |
| 2+ | ￥279.3245 | ￥558.6490 |
| 5+ | ￥271.6475 | ￥1,358.2375 |
| 10+ | ￥263.8383 | ￥2,638.3830 |
| 25+ | ￥245.2496 | ￥6,131.2400 |
| 50+ | ￥239.2384 | ￥11,961.9200 |
| 100+ | ￥228.5823 | ￥22,858.2300 |
| 250+ | ￥208.8742 | ￥52,218.5500 |
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