VS-ETF150Y65N
IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
- 产品类别
- IGBT 模块
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | VS-ETF150Y65N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | EMIPAK-2B |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 201 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：57,343
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥446.0060
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥446.0060 | ￥446.0060 |
| 10+ | ￥432.8732 | ￥4,328.7320 |
| 25+ | ￥398.2341 | ￥9,955.8525 |
| 50+ | ￥392.9017 | ￥19,645.0850 |
| 100+ | ￥376.1727 | ￥37,617.2700 |
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