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| 数据手册 | FF200R12KS4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 62 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.4 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 275 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：57,933
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥719.6895
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥719.6895 | ￥719.6895 |
| 5+ | ￥717.0277 | ￥3,585.1385 |
| 10+ | ￥685.6146 | ￥6,856.1460 |
| 20+ | ￥667.8897 | ￥13,357.7940 |
| 50+ | ￥646.7008 | ￥32,335.0400 |
| 100+ | ￥612.6259 | ￥61,262.5900 |
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