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| 数据手册 | BSM50GB60DLC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 32 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 280 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存:59,826
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥367.8082
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥367.8082 | ¥367.8082 |
| 5+ | ¥353.4943 | ¥1,767.4715 |
| 10+ | ¥342.8999 | ¥3,428.9990 |
| 20+ | ¥332.6139 | ¥6,652.2780 |
| 50+ | ¥322.6365 | ¥16,131.8250 |
| 100+ | ¥298.7858 | ¥29,878.5800 |
| 200+ | ¥287.6890 | ¥57,537.8000 |
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