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| 数据手册 | FF150R12KE3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 62 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 780 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 225 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：51,532
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥586.9683
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥586.9683 | ￥586.9683 |
| 5+ | ￥565.4093 | ￥2,827.0465 |
| 10+ | ￥553.8189 | ￥5,538.1890 |
| 20+ | ￥537.2133 | ￥10,744.2660 |
| 50+ | ￥520.2375 | ￥26,011.8750 |
| 100+ | ￥485.5985 | ￥48,559.8500 |
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