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| 数据手册 | BSM50GB120DLC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 32 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 460 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 115 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：58,183
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥451.5853
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥451.5853 | ￥451.5853 |
| 5+ | ￥434.7946 | ￥2,173.9730 |
| 10+ | ￥426.4213 | ￥4,264.2130 |
| 20+ | ￥415.1482 | ￥8,302.9640 |
| 50+ | ￥403.7429 | ￥20,187.1450 |
| 100+ | ￥367.3763 | ￥36,737.6300 |
| 200+ | ￥356.4117 | ￥71,282.3400 |
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