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| 数据手册 | BSM200GB60DLC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 32 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 445 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 230 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：54,525
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥577.5550
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥577.5550 | ￥577.5550 |
| 5+ | ￥560.2619 | ￥2,801.3095 |
| 10+ | ￥546.8823 | ￥5,468.8230 |
| 20+ | ￥530.5235 | ￥10,610.4700 |
| 50+ | ￥514.2264 | ￥25,711.3200 |
| 100+ | ￥479.9576 | ￥47,995.7600 |
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