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| 数据手册 | BSM100GB60DLC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 32 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 445 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 130 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：54,379
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥452.8809
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥452.8809 | ￥452.8809 |
| 5+ | ￥436.0903 | ￥2,180.4515 |
| 10+ | ￥427.6641 | ￥4,276.6410 |
| 20+ | ￥416.3910 | ￥8,327.8200 |
| 50+ | ￥404.9240 | ￥20,246.2000 |
| 100+ | ￥368.4869 | ￥36,848.6900 |
| 200+ | ￥357.3989 | ￥71,479.7800 |
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