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| 数据手册 | FPF2G120BF07AS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | F2 |
| 配置 | Triple |
| Pd-功率耗散 | 98 W, 140 W, 156 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 2 uA |
库存：55,520
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥653.0821
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥653.0821 | ￥653.0821 |
| 5+ | ￥644.9645 | ￥3,224.8225 |
| 10+ | ￥619.3157 | ￥6,193.1570 |
| 25+ | ￥602.4016 | ￥15,060.0400 |
| 50+ | ￥594.4073 | ￥29,720.3650 |
| 100+ | ￥560.3236 | ￥56,032.3600 |
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