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| 数据手册 | APT50GT120JU3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 347 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存：51,207
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥220.2795
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥220.2795 | ￥220.2795 |
| 5+ | ￥212.8405 | ￥1,064.2025 |
| 10+ | ￥205.9656 | ￥2,059.6560 |
| 25+ | ￥190.4705 | ￥4,761.7625 |
| 50+ | ￥184.3360 | ￥9,216.8000 |
| 100+ | ￥178.5716 | ￥17,857.1600 |
| 250+ | ￥166.6816 | ￥41,670.4000 |
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