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| 数据手册 | APT150GN60B2G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 536 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.45 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 220 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：52,580
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥123.2462
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥123.2462 | ￥123.2462 |
| 10+ | ￥112.0259 | ￥1,120.2590 |
| 25+ | ￥103.5998 | ￥2,589.9950 |
| 50+ | ￥98.0205 | ￥4,901.0250 |
| 100+ | ￥94.5566 | ￥9,455.6600 |
| 250+ | ￥86.3155 | ￥21,578.8750 |
| 500+ | ￥77.7042 | ￥38,852.1000 |
| 1,000+ | ￥72.0633 | ￥72,063.3000 |
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