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| 数据手册 | APTGT35A120T1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | SP1-12 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 55 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：57,039
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥396.1276
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥396.1276 | ￥396.1276 |
| 5+ | ￥384.1053 | ￥1,920.5265 |
| 10+ | ￥372.8322 | ￥3,728.3220 |
| 25+ | ￥349.5897 | ￥8,739.7425 |
| 50+ | ￥341.2252 | ￥17,061.2600 |
| 100+ | ￥333.2309 | ￥33,323.0900 |
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