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| 数据手册 | APTGT50DDA120T3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SP3F-32 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：58,373
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥440.3034
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥440.3034 | ￥440.3034 |
| 5+ | ￥426.4830 | ￥2,132.4150 |
| 10+ | ￥413.5353 | ￥4,135.3530 |
| 25+ | ￥394.8848 | ￥9,872.1200 |
| 50+ | ￥383.9202 | ￥19,196.0100 |
| 100+ | ￥373.5726 | ￥37,357.2600 |
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