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| 数据手册 | FPF2C8P2NL07A 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | F2 |
| 配置 | 3-Phase |
| Pd-功率耗散 | 135 W, 174 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.13 V, 2.49 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 30 A, 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 2 uA, 2 uA |
库存：57,923
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥516.4563
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥516.4563 | ￥516.4563 |
| 5+ | ￥500.9701 | ￥2,504.8505 |
| 10+ | ￥488.0136 | ￥4,880.1360 |
| 25+ | ￥473.3294 | ￥11,833.2350 |
| 50+ | ￥459.0772 | ￥22,953.8600 |
| 100+ | ￥445.2657 | ￥44,526.5700 |
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