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| 数据手册 | APTGT50X60T3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SP-3 |
| 配置 | Hex |
| Pd-功率耗散 | 176 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：59,711
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥525.5612
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥525.5612 | ￥525.5612 |
| 5+ | ￥508.5854 | ￥2,542.9270 |
| 10+ | ￥492.7290 | ￥4,927.2900 |
| 25+ | ￥469.6716 | ￥11,741.7900 |
| 50+ | ￥459.7647 | ￥22,988.2350 |
| 100+ | ￥443.4676 | ￥44,346.7600 |
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