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数据手册 | FR900R12IP4DBPSA1 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Tray |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Module |
配置 | Full Bridge |
Pd-功率耗散 | 20 mW |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
在25 C的连续集电极电流 | 900 A |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存:51,022
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥9,101.4774
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥9,101.4774 | ¥9,101.4774 |
5+ | ¥8,886.5304 | ¥44,432.6520 |
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