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| 数据手册 | DF80R12W2H3F_B11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 20 mW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 20 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：53,842
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥426.6152
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥426.6152 | ￥426.6152 |
| 5+ | ￥413.8437 | ￥2,069.2185 |
| 10+ | ￥404.1219 | ￥4,041.2190 |
| 25+ | ￥393.3953 | ￥9,834.8825 |
| 50+ | ￥382.3689 | ￥19,118.4450 |
| 100+ | ￥348.1089 | ￥34,810.8900 |
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