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| 数据手册 | MIEB101H1200EH 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | E3-Pack |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 630 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 183 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
库存：55,431
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥663.2447
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥663.2447 | ￥663.2447 |
| 5+ | ￥653.4523 | ￥3,267.2615 |
| 10+ | ￥609.6468 | ￥6,096.4680 |
| 25+ | ￥587.5853 | ￥14,689.6325 |
| 50+ | ￥559.7066 | ￥27,985.3300 |
| 100+ | ￥538.9497 | ￥53,894.9700 |
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