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| 数据手册 | APT65GP60JDQ2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 431 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 130 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：50,351
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥235.0253
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥235.0253 | ￥235.0253 |
| 5+ | ￥224.4926 | ￥1,122.4630 |
| 10+ | ￥217.4238 | ￥2,174.2380 |
| 25+ | ￥199.8310 | ￥4,995.7750 |
| 50+ | ￥193.8199 | ￥9,690.9950 |
| 100+ | ￥184.5828 | ￥18,458.2800 |
| 250+ | ￥169.6519 | ￥42,412.9750 |
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