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| 数据手册 | DF80R07W1H5FPB11BPSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 20 mW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 20 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：55,421
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥309.2568
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥309.2568 | ￥309.2568 |
| 10+ | ￥288.4998 | ￥2,884.9980 |
| 25+ | ￥276.4776 | ￥6,911.9400 |
| 50+ | ￥259.1845 | ￥12,959.2250 |
| 100+ | ￥241.9002 | ￥24,190.0200 |
| 250+ | ￥233.2273 | ￥58,306.8250 |
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