A2C50S65M2-F
IGBT 模块 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 模块
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | A2C50S65M2-F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ACEPACK-2-35 |
| 配置 | CIB |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存：59,841
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥327.2198
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥327.2198 | ￥327.2198 |
| 5+ | ￥323.0684 | ￥1,615.3420 |
| 10+ | ￥305.2288 | ￥3,052.2880 |
| 25+ | ￥292.4661 | ￥7,311.6525 |
| 50+ | ￥285.2739 | ￥14,263.6950 |
| 100+ | ￥255.8440 | ￥25,584.4000 |
| 250+ | ￥246.7303 | ￥61,682.5750 |
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