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| 数据手册 | APT60GT60JR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 378 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 93 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：51,056
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥248.7752
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥248.7752 | ￥248.7752 |
| 5+ | ￥240.4107 | ￥1,202.0535 |
| 10+ | ￥232.6103 | ￥2,326.1030 |
| 25+ | ￥215.1321 | ￥5,378.3025 |
| 50+ | ￥208.1955 | ￥10,409.7750 |
| 100+ | ￥201.6908 | ￥20,169.0800 |
| 250+ | ￥188.2406 | ￥47,060.1500 |
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