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| 数据手册 | APTGT35H120T3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | SP3-32 |
| 配置 | Full Bridge |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 55 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：54,280
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥498.9253
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥498.9253 | ￥498.9253 |
| 5+ | ￥483.3069 | ￥2,416.5345 |
| 10+ | ￥468.6845 | ￥4,686.8450 |
| 25+ | ￥447.5573 | ￥11,188.9325 |
| 50+ | ￥435.1031 | ￥21,755.1550 |
| 100+ | ￥423.3276 | ￥42,332.7600 |
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