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| 数据手册 | APT60GT60JRDQ3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 379 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 105 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：56,794
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥304.7969
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥304.7969 | ￥304.7969 |
| 5+ | ￥294.5727 | ￥1,472.8635 |
| 10+ | ￥284.9654 | ￥2,849.6540 |
| 25+ | ￥263.5298 | ￥6,588.2450 |
| 50+ | ￥255.0331 | ￥12,751.6550 |
| 100+ | ￥247.1093 | ￥24,710.9300 |
| 250+ | ￥230.6271 | ￥57,656.7750 |
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