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| 数据手册 | APT100GN120J 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| Pd-功率耗散 | 446 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 153 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：59,034
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥209.2444
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥209.2444 | ￥209.2444 |
| 5+ | ￥199.8310 | ￥999.1550 |
| 10+ | ￥193.5731 | ￥1,935.7310 |
| 25+ | ￥177.8930 | ￥4,447.3250 |
| 50+ | ￥172.5693 | ￥8,628.4650 |
| 100+ | ￥164.3899 | ￥16,438.9900 |
| 250+ | ￥151.0014 | ￥37,750.3500 |
| 500+ | ￥139.1025 | ￥69,551.2500 |
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