文档与媒体
| 数据手册 | DF150R12RT4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 790 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：51,424
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥339.4888
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥339.4888 | ￥339.4888 |
| 5+ | ￥325.9858 | ￥1,629.9290 |
| 10+ | ￥316.2551 | ￥3,162.5510 |
| 20+ | ￥306.7184 | ￥6,134.3680 |
| 50+ | ￥297.5430 | ￥14,877.1500 |
| 100+ | ￥275.6050 | ￥27,560.5000 |
| 200+ | ￥265.3807 | ￥53,076.1400 |
申请更低价? 请联系客服
