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| 数据手册 | IXGA20N120B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 36 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：55,845
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.2095
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.2095 | ￥40.2095 |
| 10+ | ￥33.0878 | ￥330.8780 |
| 25+ | ￥29.4916 | ￥737.2900 |
| 50+ | ￥27.0766 | ￥1,353.8300 |
| 100+ | ￥23.4805 | ￥2,348.0500 |
| 250+ | ￥22.2465 | ￥5,561.6250 |
| 500+ | ￥20.4485 | ￥10,224.2500 |
| 1,000+ | ￥18.6504 | ￥18,650.4000 |
| 2,500+ | ￥15.8035 | ￥39,508.7500 |
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