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| 数据手册 | IXGR55N120A3H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 70 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：57,265
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥118.7863
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥118.7863 | ￥118.7863 |
| 10+ | ￥106.8874 | ￥1,068.8740 |
| 25+ | ￥97.3418 | ￥2,433.5450 |
| 50+ | ￥92.7585 | ￥4,637.9250 |
| 100+ | ￥87.8668 | ￥8,786.6800 |
| 250+ | ￥80.7362 | ￥20,184.0500 |
| 500+ | ￥73.6145 | ￥36,807.2500 |
| 1,000+ | ￥64.1307 | ￥64,130.7000 |
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