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| 数据手册 | APTGT75DDA60T3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | SP3-32 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 600 nA |
库存：56,299
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥422.8340
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥422.8340 | ￥422.8340 |
| 5+ | ￥410.0714 | ￥2,050.3570 |
| 10+ | ￥397.9874 | ￥3,979.8740 |
| 25+ | ￥373.1407 | ￥9,328.5175 |
| 50+ | ￥364.2121 | ￥18,210.6050 |
| 100+ | ￥355.7242 | ￥35,572.4200 |
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