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| 数据手册 | IXGK55N120A3H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 125 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：54,160
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥141.5881
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥141.5881 | ￥141.5881 |
| 10+ | ￥127.3359 | ￥1,273.3590 |
| 25+ | ￥116.0539 | ￥2,901.3475 |
| 50+ | ￥110.5452 | ￥5,527.2600 |
| 100+ | ￥104.7191 | ￥10,471.9100 |
| 250+ | ￥96.2313 | ￥24,057.8250 |
| 500+ | ￥87.7346 | ￥43,867.3000 |
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