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| 数据手册 | IXA70R1200NA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 350 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
库存：57,180
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥153.4165
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥153.4165 | ￥153.4165 |
| 10+ | ￥138.0537 | ￥1,380.5370 |
| 25+ | ￥125.7846 | ￥3,144.6150 |
| 50+ | ￥119.7734 | ￥5,988.6700 |
| 100+ | ￥113.5155 | ￥11,351.5500 |
| 250+ | ￥104.2784 | ￥26,069.6000 |
| 500+ | ￥95.1119 | ￥47,555.9500 |
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