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| 数据手册 | FF225R12ME4_B11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.05 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 225 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：59,366
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥702.1585
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥702.1585 | ￥702.1585 |
| 5+ | ￥696.5792 | ￥3,482.8960 |
| 10+ | ￥668.9473 | ￥6,689.4730 |
| 25+ | ￥648.8691 | ￥16,221.7275 |
| 50+ | ￥628.2972 | ￥31,414.8600 |
| 100+ | ￥598.2503 | ￥59,825.0300 |
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