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| 数据手册 | BSM10GD120DN2E3224 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | EconoPACK 2 |
| 配置 | Hex |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 15 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 120 nA |
库存：53,365
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥360.0607
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥360.0607 | ￥360.0607 |
| 5+ | ￥346.0024 | ￥1,730.0120 |
| 10+ | ￥335.5842 | ￥3,355.8420 |
| 20+ | ￥325.5539 | ￥6,511.0780 |
| 50+ | ￥315.7616 | ￥15,788.0800 |
| 100+ | ￥292.4661 | ￥29,246.6100 |
| 200+ | ￥281.6161 | ￥56,323.2200 |
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