图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | BSM100GB120DN2K 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge1 |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 700 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 145 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：50,705
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥633.9998
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥633.9998 | ￥633.9998 |
| 5+ | ￥610.9512 | ￥3,054.7560 |
| 10+ | ￥598.4353 | ￥5,984.3530 |
| 20+ | ￥580.4636 | ￥11,609.2720 |
| 50+ | ￥562.1217 | ￥28,106.0850 |
| 100+ | ￥524.3889 | ￥52,438.8900 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
