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    APTGFQ25H120T2G

    IGBT 模块 Power Module - IGBT

    制造商:
    Microchip / Microsemi
    产品类别
    IGBT 模块
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 APTGFQ25H120T2G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 模块
    产品 IGBT Silicon Modules
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 100 C
    封装 / 箱体 SP2
    配置 Quad
    Pd-功率耗散 227 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV
    集电极—射极饱和电压 2.1 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极—射极漏泄电流 150 nA

    库存:59,161

    交货地:
    国内
    最小包装:
    50
    参考单价:
    ¥397.6172
    数量 单价(含税) 总计
    50+ ¥397.6172 ¥19,880.8600
    100+ ¥386.8905 ¥38,689.0500

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