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APTGL40H120T1G

IGBT 模块 DOR CC8085

制造商:
Microchip / Microsemi
产品类别
IGBT 模块
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 APTGL40H120T1G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 IGBT 模块
产品 IGBT Silicon Modules
封装 Tube
最小工作温度 - 40 C
最大工作温度 + 100 C
封装 / 箱体 SP1-12
配置 Full Bridge
Pd-功率耗散 220 W
集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV
集电极—射极饱和电压 1.85 V
在25 C的连续集电极电流 65 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA

库存:59,689

交货地:
国内
最小包装:
100
参考单价:
¥426.3596
数量 单价(含税) 总计
100+ ¥426.3596 ¥42,635.9600

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