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| 数据手册 | APT50GLQ65JU2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 220 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 150 nA |
库存：58,135
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥164.7601
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥164.7601 | ￥16,476.0100 |
| 250+ | ￥151.2482 | ￥37,812.0500 |
| 500+ | ￥145.9863 | ￥72,993.1500 |
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