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| 数据手册 | IXGH56N60B3D1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.49 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 350 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：50,696
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 30
- 参考单价：
- ￥47.2783
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 30+ | ￥47.2783 | ￥1,418.3490 |
| 60+ | ￥43.0652 | ￥2,583.9120 |
| 120+ | ￥38.9138 | ￥4,669.6560 |
| 270+ | ￥35.7496 | ￥9,652.3920 |
| 510+ | ￥32.5942 | ￥16,623.0420 |
| 1,020+ | ￥27.6319 | ￥28,184.5380 |
| 2,520+ | ￥26.6447 | ￥67,144.6440 |
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