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| 数据手册 | VS-GT100TP60N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | INT-A-PAK |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 417 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 160 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：56,039
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 24
- 参考单价：
- ￥1,179.7010
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 24+ | ￥1,179.7010 | ￥28,312.8240 |
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