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| 数据手册 | APT50GP60JDQ2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ISOTOP-4 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 329 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：56,246
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 20
- 参考单价：
- ￥186.3808
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥186.3808 | ￥3,727.6160 |
| 25+ | ￥171.2648 | ￥4,281.6200 |
| 50+ | ￥166.1175 | ￥8,305.8750 |
| 100+ | ￥158.2554 | ￥15,825.5400 |
| 250+ | ￥145.4222 | ￥36,355.5500 |
| 500+ | ￥133.9023 | ￥66,951.1500 |
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