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| 数据手册 | BSM35GB120DN2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge1 |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 280 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 150 nA |
库存：52,259
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥391.9145
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥391.9145 | ￥3,919.1450 |
| 20+ | ￥381.5052 | ￥7,630.1040 |
| 50+ | ￥370.7168 | ￥18,535.8400 |
| 100+ | ￥337.6291 | ￥33,762.9100 |
| 200+ | ￥327.4754 | ￥65,495.0800 |
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