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| 数据手册 | BSM100GAL120DLCK 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | 32 mm |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 205 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：59,549
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥502.7594
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥502.7594 | ￥5,027.5940 |
| 20+ | ￥487.6434 | ￥9,752.8680 |
| 50+ | ￥472.3423 | ￥23,617.1150 |
| 100+ | ￥441.1143 | ￥44,111.4300 |
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