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    STGWA40H65DFB2

    IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 STGWA40H65DFB2 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.55 V
    在25 C的连续集电极电流 72 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:52,516

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥24.4148
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥24.4148 ¥24.4148
    10+ ¥20.7570 ¥207.5700
    100+ ¥16.6056 ¥1,660.5600
    250+ ¥15.6801 ¥3,920.0250
    500+ ¥14.7458 ¥7,372.9000
    1,000+ ¥12.6393 ¥12,639.3000
    2,500+ ¥12.2691 ¥30,672.7500
    5,000+ ¥11.3348 ¥56,674.0000

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