AFGHL50T65SQDC
IGBT 晶体管 Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AFGHL50T65SQDC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 268 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,750
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥66.3606
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥66.3606 | ￥66.3606 |
| 10+ | ￥57.1323 | ￥571.3230 |
| 100+ | ￥47.3400 | ￥4,734.0000 |
| 250+ | ￥44.6165 | ￥11,154.1250 |
| 500+ | ￥41.7607 | ￥20,880.3500 |
| 1,000+ | ￥38.5436 | ￥38,543.6000 |
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