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| 数据手册 | FGH50T65SQD-F155 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGH50T65SQD |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 268 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：57,009
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.3811
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.3811 | ￥28.3811 |
| 10+ | ￥24.1063 | ￥241.0630 |
| 100+ | ￥19.2674 | ￥1,926.7400 |
| 250+ | ￥18.2185 | ￥4,554.6250 |
| 500+ | ￥17.0992 | ￥8,549.6000 |
| 1,000+ | ￥15.3011 | ￥15,301.1000 |
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