STGB20M65DF2
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGB20M65DF2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | STGB20M65DF2 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 166 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：53,391
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.9926
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.9926 | ￥14.9926 |
| 10+ | ￥12.7627 | ￥127.6270 |
| 100+ | ￥10.0391 | ￥1,003.9100 |
| 250+ | ￥9.7307 | ￥2,432.6750 |
| 500+ | ￥8.2411 | ￥4,120.5500 |
| 1,000+ | ￥7.1217 | ￥7,121.7000 |
| 2,000+ | ￥6.8749 | ￥13,749.8000 |
| 5,000+ | ￥6.5664 | ￥32,832.0000 |
| 10,000+ | ￥6.3813 | ￥63,813.0000 |
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