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    GT40QR21(STA1,E,D

    IGBT 晶体管 LOW SATURATION/FAST SWITCHING

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 GT40QR21(STA1,E,D 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 GT40QR21
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PN-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 230 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极/发射极最大电压 25 V

    库存:57,829

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥26.7064
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥26.7064 ¥26.7064
    10+ ¥21.8763 ¥218.7630
    25+ ¥19.0206 ¥475.5150
    50+ ¥17.7250 ¥886.2500
    100+ ¥17.2843 ¥1,728.4300
    250+ ¥15.9886 ¥3,997.1500
    500+ ¥14.2522 ¥7,126.1000
    1,000+ ¥13.3797 ¥13,379.7000
    2,500+ ¥11.9606 ¥29,901.5000

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