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    NGTB40N120L3WG

    IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NGTB40N120L3WG 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 454 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1.2 kV
    集电极—射极饱和电压 1.55 V
    在25 C的连续集电极电流 160 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:54,984

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥34.7624
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥34.7624 ¥34.7624
    10+ ¥29.4916 ¥294.9160
    100+ ¥23.6039 ¥2,360.3900
    250+ ¥22.3082 ¥5,577.0500
    500+ ¥21.0038 ¥10,501.9000
    1,000+ ¥18.7121 ¥18,712.1000

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