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| 数据手册 | FGH75T65SQDTL4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGH75T65SQDTL4 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,146
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.5885
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.5885 | ￥40.5885 |
| 10+ | ￥34.5156 | ￥345.1560 |
| 100+ | ￥27.5702 | ￥2,757.0200 |
| 250+ | ￥26.0277 | ￥6,506.9250 |
| 500+ | ￥24.5382 | ￥12,269.1000 |
| 1,000+ | ￥21.4356 | ￥21,435.6000 |
| 2,500+ | ￥20.6953 | ￥51,738.2500 |
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